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本发明公开了一种提高表面注入浓度的碳化硅结势垒肖特基二极管的制造工艺，包括如下依次进行的工艺步骤：在外延层上覆盖一层掩膜层；使用低功精准定位的光刻机在掩膜层上光刻出图案；在外延层上方二次外延生长生成二次外延层；在二次外延层上进行肖特基金属电极的淀积和多层欧姆接触金属的淀积。本发明采用低功精准定位的光刻机，减少了对硅片台滑动时需要的驱动电机的功率，而且能够保证硅片台与光刻机支撑框架的重复精准定位，减少残次品；通过二次外延技术在碳化硅二极管的漂移区形成超结结构，使得器件耐压能力只与漂移区厚度有关，与
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115223867 A
(43)申请公布日 2022.10.21
(21)申请号 202210839982.8
(22)申请日 2022.07.18
(71)申请人 无锡市查奥微电子科技有限公司
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