用于静电防护的SOI栅极接地MOS器件结构及其制造方法.pdfVIP

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2023-11-08 发布于四川
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用于静电防护的SOI栅极接地MOS器件结构及其制造方法.pdf

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本发明涉及一种用于静电防护的SOI栅极接地MOS器件结构及其制造方法，所述器件结构包括：阱区，设于绝缘层上；漏区，设于阱区内的上部，漏区的外轮廓是正多边形；复合区域，环绕漏区设置于阱区内的上部，复合区域的外轮廓在平面上是正多边形，复合区域包括源区和体接触区，体接触区与源区电连接；栅极，设于漏区和复合区域之间的阱区上方并形成闭合环；绝缘隔离结构，设于各MOS管之间；其中，漏区和复合区域的外轮廓在平面上的几何中心重合，各MOS管相互并联。本发明的有效ESD面积大，并且通用于全耗尽SOI和部分耗尽SO

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113497026 A (43)申请公布日 2021.10.12 (21)申请号 20201