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本发明涉及一种反铁磁/铁电多铁异质结构及其制备方法，属于电子元件领域。其具有(111)取向的高性能PMN‑PT铁电单晶衬底，高性能PMN‑PT铁电单晶衬底上表面设有外延生长特性的钙钛矿型LaVO3反铁磁薄膜；通过控制施加在该多铁异质结构上的直流电场强度，使得高性能PMN‑PT铁电单晶衬底诱导出压电应变，该应变通过刚性的外延界面传递至钙钛矿型LaVO3反铁磁薄膜，从而实现当直流电场撤去时LaVO3薄膜应变和电阻回到初始态，或者不会回到初始态这两种不同的状态。本方法制备反铁磁/铁电多铁异质结构方法简
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113488585 A
(43)申请公布日 2021.10.08
(21)申请号 202110756423.6 C23C 14/08 (2006.01)
(22)申请日
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