1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

具有介电间隔物的晶体管及其制造方法.pdfVIP

  • 7
  • 0
  • 约4.14万字
  • 约 53页
  • 2023-11-08 发布于四川
  • 举报

具有介电间隔物的晶体管及其制造方法.pdf

    本公开涉及具有介电间隔物的晶体管及其制造方法。一种晶体管装置包括半导体衬底和形成于所述衬底上方的栅极结构。形成所述栅极结构可以包括以下步骤：在所述衬底上方形成多层介电堆叠，执行所述多层介电堆叠的各向异性干式蚀刻以形成栅极沟道，在所述衬底上方形成共形介电层，执行所述共形介电层的各向异性干式蚀刻以在所述栅极沟道中形成介电侧壁，蚀刻栅极沟道区中的介电层的部分，以及在所述栅极沟道区中形成栅极金属。在形成所述晶体管的场板之前，可以类似地在场板沟道中形成介电间隔物。通过在所述栅极沟道中形成介电间隔物，可以有

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117012825 A (43)申请公布日 2023.11.07 (21)申请号 202310444284.2 (22)申请日 2023.04.24 (30)优先权数据 17/661,827 2022

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >