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具有介电间隔物和场板的晶体管及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-11-08 发布于四川
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具有介电间隔物和场板的晶体管及其制造方法.pdf

    本公开涉及具有介电间隔物和场板的晶体管及其制造方法。一种晶体管装置包括半导体衬底和形成于所述衬底上方的栅极结构。形成所述栅极结构可以包括以下步骤：在所述衬底上方形成多层介电堆叠，执行所述多层介电堆叠的各向异性干式蚀刻以形成栅极沟道开口，在所述衬底上方形成共形介电层，执行所述共形介电层的各向异性干式蚀刻以在所述栅极沟道开口中形成介电侧壁，蚀刻栅极沟道区中的介电层的部分，以及在所述栅极沟道区中形成栅极金属。可以在形成所述晶体管的场板之前在场板沟道开口中类似地形成介电间隔物。通过在所述栅极沟道开口中形

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117012826 A (43)申请公布日 2023.11.07 (21)申请号 202310444298.4 (22)申请日 2023.04.24 (30)优先权数据 17/661,834 2022

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