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基于三维阻变存储器的存算一体技术
近年来，随着芯片工艺制造的进步，工艺制程逐渐接近物理极限，深度（神经网络）的发展使得计算量和参数量呈指数上升。具有高密度，非易失，易加工等优点的阻变存储器(R（RAM）)，被认为是最具代表性的新型存储器之一，是低功耗，低成本、高算力兼备的理想选择。
为解决阻变存储器应用于大规模神经网络面临的多个挑战，由中国科学院微电子研究所微电子器件与集成重点实验室刘明院士、张锋研究员团队与北京理工大学集成电路与电子学院王兴华副教授团队，共同研发了“基于三维阻变存储器的存算一体技术”，首次突破了三维垂直结构阻变存储器存算一体宏单元芯片。项目吸引来自学术界与产业界的广泛关注，
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