FinFET器件单粒子闩锁及翻转效应的TCAD仿真研究.docxVIP

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2023-11-10 发布于北京
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FinFET器件单粒子闩锁及翻转效应的TCAD仿真研究 FinFET器件单粒子闩锁及翻转效应的TCAD仿真研究摘要：单电子闩锁是一种基于电子运动的新型器件，具有极高的性能和潜在应用价值。本文利用TCAD仿真软件，对FinFET器件中的单粒子闩锁及翻转效应进行了研究。通过优化FinFET的结构参数和材料参数，实现了单粒子的电子轨迹控制和单粒子闩锁的形成。同时，对单粒子闩锁中电荷输运和耦合效应进行了深入分析，并探讨了器件翻转效应的影响因素。关键词：FinFET器件，单粒子闩锁，翻转效应，TCAD仿真引言随着微纳电子技术的不断发展，传统的MOSFET器件已经无