2023年第37届中国化学奥林匹克竞赛初赛试题答案详解版.docxVIP

试卷第 =page 1 1页，共 =sectionpages 3 3页 试卷第 =page 1 1页，共 =sectionpages 3 3页 第37届中国化学奥林匹克(初赛)试题 (2023年9月3日9：00~12：00) 提示：1)凡题目中要求书写反应方程式，须配平且系数为最简整数比。 2)可能用到的常数：法拉第常数 气体常数 阿伏伽德罗常数 玻尔兹曼常数kB=R/NA 第1题(14分，占7%) 1．镓的化合物 (1)半导体工业中通过刻蚀制造微纳结构，GaN是重要的半导体材料，通常采用含氯气体在放电条件下进行刻蚀。写出利用Ar-Cl2混合气体放电刻蚀GaN的化学方程式 。