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第九讲薄膜太阳能电池演示文稿 本文档共17页；当前第1页；编辑于星期三\11点7分 优选第九讲薄膜太阳能电池 本文档共17页；当前第2页；编辑于星期三\11点7分 CIGS电池的发展历史及研究现状 70年代Bell实验室Shaly等人系统研究了三元黄铜矿半导体材料CIS的生长机理、电学性质及在光电探测方面的应用 1974年，Wagner利用单晶ClS研制出高效太阳能电池,制备困难制约了单晶ClS电池发展 1976年，Kazmerski等制备出了世界上第一个ClS多晶薄膜太阳能电池 80年代初，Boeing公司研发出转换效率高达9.4%的高效CIS薄膜电池 80年代期间，ARCO公司开发出两步(金属预置层后硒化)工艺，方法是先溅射沉积Cu、In层，然后再在H２Se中退火反应生成CIS薄膜，转换效率也超过10% 1994年，瑞典皇家工学院报道了面积为0.4cm２效率高达17.6%的ClS太阳能电池 90年代后期，美国可再生能源实验室(NREL)一直保持着CIS电池的最高效率记录，并1999年，将Ga代替部分In的CIGS太阳能电池的效率达到了18.8%，2008年更提高到19.9% ＣＩＧＳ 薄膜太阳 能电池发 展的历程 本文档共17页；当前第3页；编辑于星期三\11点7分 太阳能电池的分类 按 制 备 材 料 的 不 同 硅基太阳能电池 多元化合物薄膜 太阳能电池 有机聚合物太阳 能电池 纳米晶太阳能电池 主要:GaAs CdS CIGS 目前,综合性能最好 的薄膜太阳能电池 硅基太阳能电池 多元化合物薄膜 太阳能电池 有机聚合物太阳 能电池 硅基太阳能电池 多元化合物薄膜 太阳能电池 纳米晶太阳能电池 有机聚合物太阳 能电池 硅基太阳能电池 多元化合物薄膜 太阳能电池 纳米晶太阳能电池 有机聚合物太阳 能电池 硅基太阳能电池 多元化合物薄膜 太阳能电池 纳米晶太阳能电池 有机聚合物太阳 能电池 多元化合物薄膜 太阳能电池 硅基太阳能电池 纳米晶太阳能电池 有机聚合物太阳 能电池 多元化合物薄膜 太阳能电池 硅基太阳能电池 纳米晶太阳能电池 有机聚合物太阳 能电池 多元化合物薄膜 太阳能电池 硅基太阳能电池 纳米晶太阳能电池 有机聚合物太阳 能电池 多元化合物薄膜 太阳能电池 目前,综合性能最好 的薄膜太阳能电池 主要:GaAs CdS CIGS 目前,综合性能最好 的薄膜太阳能电池 主要:GaAs CdS CIGS 目前,综合性能最好 的薄膜太阳能电池 硅基太阳能电池 纳米晶太阳能电池 有机聚合物太阳 能电池 多元化合物薄膜 太阳能电池 主要:GaAs CdS CIGS 目前,综合性能最好 的薄膜太阳能电池 本文档共17页；当前第4页；编辑于星期三\11点7分 本文档共17页；当前第5页；编辑于星期三\11点7分 CIGS的晶体结构 CuInSe2黄铜矿晶格结构 CuInSe2复式晶格:a=0.577,c=1.154 直接带隙半导体，其光吸收系数高达105量级 禁带宽度在室温时是1.04eV，电子迁移率和空穴迁移率分3.2X102(cm2/V·s)和1X10(cm2/V·s) 通过掺入适量的Ga以替代部分In，形成CulnSe2和CuGaSe2的固熔晶体 Ga的掺入会改变晶体的晶格常数，改变了原子之间的作用力,最终实现了材料禁带宽度的改变，在1.04一1.7eV范围内可以根据设计调整，以达到最高的转化效率 自室温至810℃保持稳定相,使制膜工艺简单, 可操作性强. 本文档共17页；当前第6页；编辑于星期三\11点7分 CIGS的电学性质及主要缺陷 富Cu薄膜始终是p型，而富In薄膜则既可能 为p型，也可能为n型。n型材料在较高Se蒸 气压下退火变为p型传导;相反，p型材料在较 低Se蒸气压下退火则变为n型 CIS中存在上述的本征缺陷， 影响薄膜的电学性质 .Ga的掺入影响很小. 本文档共17页；当前第7页；编辑于星期三\11点7分 CIGS的光学性质及带隙 CIS材料是直接带隙材料，Cu(In,Ga,Al)Se2,其带隙在范围变化，覆盖了可见太阳光谱 In/Ga比的调整可使CIGS材料的带隙范围覆盖1.0一l.7eV，CIGS其带隙值随Ga含量x变化满足下列公式其中，b值的大小为0.15一0.24eV CIGS的性能不是Ga越多性能越好的，因为短路电流是随着Ga的增加对长波的吸收减小而减小的。 当x=Ga/(Ga+In)0.3时，随着的增加，Eg增加， Voc也增加; x=0.3时带隙为1.2eV;当x0.3时，随着x的增加，Eg减小，Voc也减小。 G.Hanna等也认为x=0.28时材料缺陷最少，电池性能最好。 本文档共17页；当前第8页；编辑于星期三