垂直腔体表面发射液激光器理论特性与基于ISE TCAD的仿真研究的中期报告.docxVIP

垂直腔体表面发射液激光器理论特性与基于ISE TCAD的仿真研究的中期报告 本研究旨在探讨垂直腔面发射液激光器（VCSEL）的理论特性及其基于ISE TCAD的仿真研究。本文为中期报告，主要介绍已完成的工作和初步成果，以及下一步的研究计划。 首先，我们对VCSEL的基本结构和工作原理进行了介绍。VCSEL作为一种新型半导体激光器，具有体积小、发射功率高、发射角度窄以及易于自动化制造等特点，近年来得到了广泛的研究和应用。VCSEL的发射结构是一种垂直于半导体芯片表面的多层结构，其中夹层材料和反射镜的特性对其特性有着重要影响。 接着，我们对ISE TCAD软件的基本原理进行了介绍，并使用该软件建立了VCSEL的三维模型。模型中包括了发射结构、夹层、反射镜等主要的组成部分，并考虑了温度变化和外电场的影响。 然后，我们进行了电学仿真和光学仿真。在电学仿真中，我们主要研究了电场分布、电子浓度分布、载流子注入效率以及光谱特性等方面。在光学仿真中，我们主要探讨了光场分布、输出光功率、激光波长以及亚波长光学的效应等方面。 最后，我们对仿真结果进行了分析并初步总结了以下成果： 1.当前所建立的VCSEL模型在ISE TCAD软件中能够成功运行，并具有合理的物理效应； 2.电学仿真结果显示，反射镜的电子注入能力对VCSEL特性影响明显； 3.光学仿真结果显示，VCSEL的发射特性与夹层材料、反射镜的特性有着密切关系； 4.当前模型在亚波长光学效应的预测上还需要进一步的完善和验证。 下一步，我们将继续优化模型的建立，更好地考虑温度变化、激励模式以及亚波长光学效应的影响，并通过更加精细的仿真研究VCSEL的物理特性和优化设计。