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一种二极管钝化层制备工艺.pdfVIP

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  • 2023-11-11 发布于四川
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一种二极管钝化层制备工艺.pdf

    本申请提供一种二极管钝化层制备工艺，步骤包括：对硅基体上的熔融状态的玻璃保护层进行高温烧结，以形成钝化保护层；在高温烧结过程中采用湿氧烧结和干氧烧结结合的方式进行钝化。本申请一种二极管钝化层制备工艺，在多晶硅层上形成一层绝缘玻璃钝化层，且在钝化过程中采用湿氧烧结工艺，可有效降低漏电流70％左右，并可有效提高器件的反向击穿电压，屏蔽金属离子污染等，可解决硅器件反向特性曲线蠕动，漂移等弊端，使材料在高温条件下具有更高的稳定性和可靠性。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117038483 A (43)申请公布日 2023.11.10 (21)申请号 202311066623.4 H01L 21/329 (2006.01) (22)申请日 2023.08

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