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本发明公开了一种采用非线性渐变失配层的反向生长三结叠层深结太阳电池，由底层向顶层按生长方向依次包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、Ga0.5In0.5P阻挡层、GaAs接触层、(AlhGa1‑h)0.5In0.5P电池、第一隧道结、GaAs电池、第二隧道结、晶格渐变回调缓冲层、Ga1‑xInxAs电池、布拉格反射器DBR和帽层；采用反向晶格失配三结太阳电池，其带隙组合和太阳光谱更加匹配，可减少光子的吸收损失以及光生载流子的热化损失；晶格渐变回调缓冲层采用和DBR相结合的方式，可在提高抗辐照能力和晶
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117038770 A
(43)申请公布日 2023.11.10
(21)申请号 202310979696.6
(22)申请日 2023.08.04
(71)申请人 中电科蓝天科技股
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