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第五章 半导体中的光辐射和光吸收 1. 名词解释：带间复合、杂质能级复合、激子复合、等电子陷阱复合、表面复合。 带间复合：在直接带隙的半导体材料中，位于导带底的一个电子向下跃迁，同位于价带顶的一个空穴复合，产生一个光子，其能量大小正好等于半导体材料的禁带宽度。 浅杂质能级复合：杂质能级有深有浅，那些位置距离导带底或价带顶很近的浅杂质能级，能与价带之间和导带之间的载流子复合为边缘发射，其光子能量总比禁带宽度小。 激子复合：在某些情况下，晶体中的电子和空穴可以稳定地结合在一起，形成一个中性的“准粒子”，作为一个整体存在，即“激子”。在一定条件下，这些激子中的电子和空穴复合发光，而且效率可以相当高，其复合产生的光子能量小于禁带宽度。 等电子陷阱复合：由于等电子杂质的电负性和原子半径与基质原子不同，产生了一个势场，产生由核心力引起的短程作用势，从而形成载流子的束缚态，即陷阱能级，可以俘获电子或空穴，形成等电子陷阱上的束缚激子。由于它们是局域化的，根据测不准关系，它们在动量空间的波函数相当弥散，电子和空穴的波函数有大量交叠，因而能实现准直接跃迁，从而使辐射复合几率显著提高。 表面复合：晶体表面的晶格中断，产生悬链，能够产生高浓度的深的或浅的能级，它们可以充当复合中心。通过表面的跃迁连续进行表面复合，不会产生光子，因而是非辐射复合。 2. . 什么叫俄歇复合，俄歇复合速率与哪些因素有关？为什么长波长的InGaAsP 等材料的俄歇复合比短波长材料严重？为什么俄歇复合影响器件的Jth 、温度稳定性和可靠性？ 解析： 俄歇效应是一个有三粒子参与、涉及四个能级的非辐射复合的效应。在半导体中，电子与空穴复合时，把能量或者动量通过碰撞转移给第三个粒子跃迁到更高能态，并与晶格反复碰撞后失去能量。这种复合过程叫俄歇复合.整个过程中能量守恒，动量也守恒。 半导体材料中带间俄歇复合有很多种，我们主要考虑CCHC过程（两个导带电子与一个重空穴）和CHHS过程（一个导带电子和两个重空穴）。俄歇复合速率可表示为 其中：CCHC俄歇复合系数： CHHS俄歇复合系数： 可看出禁带宽度越小，俄歇复合系数越大，俄歇复合速率越大，俄歇复合更易发生。 从另一方面说，俄歇复合过程的初态和终态不可能都与能级极值重合，故其动能之和也必须超过一定阈值，俄歇复合才能发生，阈值ET与禁带宽度和自旋裂矩Δ的关系为： ，分别为电子和重空穴在带边的有效质量； ，为自旋-轨道裂带中空穴的有效质量。 可看出，随着禁带宽度越小，阈值会减小，俄歇复合更易发生。 综上，禁带宽度越小，即对应光吸收波长越大的半导体材料，俄歇复合越严重。 材料发光的内量子效率ηi=Rsp/Re，Rsp为辐射复合率，Re为总复合率，包括无辐射复合，而实验报告有证明无辐射复合中俄歇复合占主要，俄歇复合的产生使内量子效率η下降，其直接结果使阈值电流Jth。 另一方面，从俄歇复合速率表达式中可看出温度对其他也有一定影响，作为无辐射复合，会产生热损耗，从而影响到器件的阈值电流等特性。 3. 试推导出粒子数反转的条件，同时证明爱因斯坦系数，并解释它们的物理意义。 推导： 电子跃迁过程依赖于如下因素： 1.电子由能级跃迁到的受激吸收几率； 2.能级E1上电子的占有几率； 3.能级E2上电子占有几率； 4.能量为E21的光子的态密度。 电子受激吸收几率为， 电子吸收能量 电子受激辐射几率为 电子在高能态上时不稳定，在没有同辐射场发生相互作用时，也可以通过自发辐射回到下能级，自发辐射几率为：，为自发辐射几率。 1、2、3三个过程构成了两能级之间的相互关系，热平衡时，电子向上跃迁和向下跃迁的几率是一样的，即满足： 整理有： 另已知：1.价带中能级上电子的占有率和导带中能级上电子的占有率服从费米-狄拉克分布： 2.能量E处单位体积的光子态密度 不考虑色散，将色散项简化为1， 将5、6、7代入4中： 整理有： 进一步整理为： 将该式中同温度有关和无关的项目分离开来，就得到： 该式表明，受激辐射的几率同自发辐射几率成正比，将8中同温度相关的项相等，可推出： #1/#2即是著名的爱因斯坦关系。 物理意义： 1.受激辐射的几率正比于自发辐射的几率，自发辐射几率越大时受激辐射的几率越大。 2.受激辐射和受激吸收是两个互逆的物理过程，平衡态时，它们的几率相等。这就是为什么在平衡时我们既观察不到光发射也观察不到光吸收。 受激辐射的几率大于受激吸收几率时，才有可能有受激发射，即产生粒子数反转才能产生受激发射。 即， 根据 将5、6代入关系式有： 进一步简化为：，即粒子数反转的条件。 物理意义： 要想在半导体材料中实现粒子数反转，其导带中电子的准费米能级同价带中空穴的准费米能级之差应大于该材料的