一种清洁靶材烧结窑炉硅钼棒发热体的方法.pdfVIP

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2023-11-11 发布于四川
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一种清洁靶材烧结窑炉硅钼棒发热体的方法.pdf

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本发明公开了一种清洁靶材烧结窑炉硅钼棒发热体的方法，涉及靶材烧结加工技术领域，包括下列步骤：首先将烧结炉的温度提高至1200℃，通入氧气后，保温2小时；再将烧结炉的温度提高到1550℃至1620℃之间，保温8至14小时，温度越高，保温时间越短；再由通过鼓风机送风将烧结炉降温至室温状态，即完成对硅钼棒的清洁；本发明利用热处理实现对硅钼棒的清理，与以往的采用人为清理硅钼棒的方法相比，其不会对硅钼棒造成损伤，清洁的更加的彻底和完全，同时避免了人体与硅钼棒直接接触，降低了人为导致的硅钼棒破损和断裂的风险

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117029521 A (43)申请公布日 2023.11.10 (21)申请号 202311166448.6 (22)申请日 2023.09.11 (71)申请人先导薄膜材料（安徽）有限公司地址