碳化硅晶片处理系统和方法.pdfVIP

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2023-11-11 发布于四川
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碳化硅晶片处理系统和方法.pdf

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本发明提供了一种碳化硅晶片处理系统和方法，涉及碳化硅晶片处理技术领域，该碳化硅晶片处理系统包括激光切割装置、双面研磨装置和抛光装置，激光切割装置用于激光切割晶锭；双面研磨装置包括上研磨盘、下研磨盘和多个游星轮，通过激光切割装置对晶锭实现激光切割，从而取代常规的线切割方式，激光切割线宽更小，因此晶片物料的损失较小。并且，双面研磨时通过游星轮与多个第一顶辊和第二顶辊的啮合实现游星轮的转动，并且其中每个第一顶辊和每个第二顶辊均能够相对独立转动，在游星轮啮合的过程中，第一顶辊和第二顶辊能够发生微小的转动

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117020937 A (43)申请公布日 2023.11.10 (21)申请号 202311116061.X B24B 37/34 (2012.01) (22)申请日 2023.08.