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- 2023-11-11 发布于四川
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本发明公开了一种基于GaN基发光材料的倒装共N极全彩微显示阵列及制作方法，属于半导体发光芯片和显示应用技术领域，包括MicroLED阵列芯片和支撑电路板，MicroLED阵列芯片包括衬底、缓冲层、共N极高掺杂GaN层、N型GaN导电层、GaN/InGaN多量子阱有源区、P型GaN导电层、P电极点、N电极点、二次发光材料层；支撑电路板包括基板、N极线路和P极线路，MicroLED阵列芯片和支撑电路板采用倒装键合的方式连接；本发明能够减少近25％的芯片电极面积损失，提高材料利用率；避免了金属共
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117038699 A
(43)申请公布日 2023.11.10
(21)申请号 202311047113.2
(22)申请日 2023.08.18
(71)申请人 天津工业大学
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