半导体层结构、氮化镓HEMT器件及制备方法.pdfVIP

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2023-11-11 发布于四川
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半导体层结构、氮化镓HEMT器件及制备方法.pdf

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本发明涉及半导体器件技术领域，具体为一种半导体层结构、氮化镓HEMT器件及制备方法。该半导体层结构自下而上依次包括：衬底；第一半导体层，设置在所述衬底上；电子阻挡层，设置在所述第一半导体层上；所述电子阻挡层包括依次层叠设置的B1‑xAlxN、GaN、B1‑yAlyN三层结构；x和y为0‑0.99；以及第二半导体层，设置在所述电子阻挡层上。本发明通过上述B1‑xAlxN、GaN、B1‑yAlyN电子阻挡层结构的设计，能够增强载流子在二维电子气沟道的限制作用，减少在高温高压下的漏电流，从而抑制沟道穿

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117038722 A (43)申请公布日 2023.11.10 (21)申请号 202310846352.8 H01L 29/15 (2006.01) (22)申请日 2023.07.