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本申请实施例提供了一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。该半导体结构包括：由下及上堆叠的支撑衬底和顶层基体；其中所述顶层基体中包含多个相互独立，且间隔设置的埋氧层单元；各所述埋氧层单元的厚度均小于所述顶层基体的厚度；所述顶层基体用于制备功能器件。各个埋氧层单元相互独立，且间隔设置，一旦处于顶层基体上晶体管等功能器件产生碰撞电离效应，在该碰撞电离效应中产生的电子和空穴对可以沿埋氧层单元之间的间隔空隙流到支撑衬底，从而避免产生的电子和空穴积累在顶层基体中而对顶部的晶体管等顶部功能器件造成性
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117038436 A
(43)申请公布日 2023.11.10
(21)申请号 202310993401.0
(22)申请日 2023.08.08
(71)申请人 苏州华太电子技术股份有限公司
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