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- 2023-11-11 发布于四川
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本发明涉及一种具有垂直沟道区的CMOS图像传感器及一种CMOS图像传感器的形成方法。所述CMOS图像传感器中，光电二极管、传输晶体管以及浮置扩散区与像素电路中的另一些晶体管分别形成于两个键合单元中并垂向叠加，有助于减小像素的面积，提高集成度，所述光电二极管在相应键合单元中的设置空间充裕，像素的填充因子接近100％，可以兼顾动态范围以及尺寸微缩，从而提升CMOS图像传感器的性能。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117038689 A
(43)申请公布日 2023.11.10
(21)申请号 202311055002.6
(22)申请日 2023.08.18
(71)申请人 武汉新芯集成电路制造有限公司
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