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一种高可靠性半导体器件.pdfVIP

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  • 2023-11-11 发布于四川
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一种高可靠性半导体器件.pdf

    本实用新型提供了一种高可靠性半导体器件，属于半导体技术领域，该半导体器件包括基体，基体上间隔设置有第一导电类型阱，相邻两个第一导电类型阱之间设置有JFET区；第一导电类型阱内设有雪崩电荷缓冲区，雪崩电荷缓冲区包括第二导电类型阱源区以及第一导电类型接触区，第一导电类型接触区位于第二导电类型阱源区一侧，第一导电类型接触区的宽度自芯片边缘向芯片中央递增。该高可靠性半导体器件具有较高的抗雪崩能力，而且能够改善碳化硅MOSFET芯片工作状态时内部温度分布不均匀问题，使得器件具有较高的工作稳定性。

    (19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 219998228 U (45)授权公告日 2023.11.10 (21)申请号 202321233705.9 (22)申请日 2023.05.21 (73)专利权人 北京智慧能源研

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