一种硅衬底氮化镓晶圆的切割方法.pdfVIP

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2023-11-11 发布于四川
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一种硅衬底氮化镓晶圆的切割方法.pdf

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本发明公开了一种硅衬底氮化镓晶圆的切割方法，该方法包括以下步骤：S1、在氮化镓层表面的进行激光镭射，形成沟槽；S2、采用一对细激光束沿沟槽的中心线两侧分别重复进行3‑4次切割，每次一对细激光束的激光功率、频率、切割速度相同，但每次一对细激光束之间的切痕宽度和深度依次扩大，形成第一切割槽；S3、采用一对粗激光束沿第一切割槽的中心线两侧分别重复进行2次切割，形成深度大于11um的第二切割槽；S4、采用划片刀沿第二切割槽对氮化镓晶圆进行切割，清洗，干燥。本发明提供的硅衬底氮化镓晶圆的切割方法，能够解决

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117020446 A (43)申请公布日 2023.11.10 (21)申请号 202311294713.9 (22)申请日 2023.10.09 (71)申请人江苏芯德半导体科技有限公司地址