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一种表面等离激元耦合深紫外AlGaN基发光二极管.pdfVIP

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  • 2023-11-11 发布于四川
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一种表面等离激元耦合深紫外AlGaN基发光二极管.pdf

    本发明公开了一种倒装结构的表面等离激元耦合的深紫外AlGaN基发光二极管。所述深紫外LED器件至少包含：衬底、n型半导体层、有源层、p型半导体层、Al纳米光栅，其特征在于：位于所述有源层附近的金属Al纳米光栅结构，与有源层中电子‑空穴对发生耦合，可以增强LED器件的辐射复合效率以及改变发射光的透射率，所述衬底具有粗糙的下表面，可以增强LED器件的光提取效率，从而改善深紫外氮化物发光二极管的光学性能。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117038811 A (43)申请公布日 2023.11.10 (21)申请号 202311011316.6 (22)申请日 2023.08.11 (71)申请人 南通大学 地址 226019

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