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本发明公开了一种峰谷电流比可调节的负微分电阻器件及其应用，涉及半导体材料及功能器件技术领域。本发明的负微分电阻器件从下至上依次包括玻璃基底、底电极、钙钛矿活性层CH3NH3PbI3薄膜、氧化物界面层和顶电极。本发明的器件制备方法如下：在预处理过的底电极表面旋涂CH3NH3PbI3薄膜层，在所述CH3NH3PbI3薄膜层表面蒸镀氧化物界面层，最后在界面层上蒸镀金属Au。该器件的峰谷电流比高，通过控制起始扫描电压大小，可以实现室温下峰谷电流比可调节的负微分电阻效应。本发明采用的原料易得，所涉及的器件
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117042588 A
(43)申请公布日 2023.11.10
(21)申请号 202310993916.0
(22)申请日 2023.08.08
(71)申请人 湖南第一师范学院
地址 4102
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