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电子技术基础知识; 2．本征半导体：不加杂质的纯净半导体晶体。如本征硅或本征锗。; （2）N型半导体：在本征硅(或锗)中掺入少量磷元素（5价）所形成的半导体，如N型硅。其中，多数载流子为电子，少数载流子为空穴。;图1 ＰＮ结;②外加反向电压（也叫反向偏置） 外加电场与内电场方向相同，增强了内电场，多子扩散难以进行，少子在电场作用下形成反向电流，因为是少子漂移运动产生的，反向电流很小，这时称PN结处于截止状态。;二 晶体二极管; 1 外形：由密封的管体和两条正、负电极引线所组成。管体外壳的标记通常表示正极。如图2（a）所示；;3．晶体二极管的单向导电性：; [例1] 图3所示电路中，当开关S闭合后，H1、H2两个指示灯，哪一个可能发光？;4 二极管的伏安特性;5．特点：; 正向特性 外加正向电压较小时，外电场不足以克服内电场对多子扩散的阻力，PN结仍处于截止状态 。 正向电压大于死区电压后，正向电流 随着正向电压增大迅速上升。通常死区电压硅管约为0.5V，锗管约为0.2V。导通电压: UD(on) = (0.6 ? 0.8) V―――硅管 0.7 V (0.1 ? 0.3) V―――锗管 0.3 V;（2）反向特性; 反向特性 外加反向电压时， PN结处于截止状态，反向电流 很小。反向电压大于击穿电压时，反向电流急剧增加。 反向击穿类型 电击穿— PN 结未损坏，断电即恢复。 热击穿— PN 结烧毁。 ;（1）最大整流电流IFM：指管子长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。 （2）最高反向工作电压URM：二极管运行时允许承受的最大反向电压。 （3）最大反向电流IRM：指管子未击穿时的反向电流，其值越小，则管子的单向导电性越好。 （4）最高工作频率fm：主要取决于PN结结电容的大小。;8 二极管的简单测试;图5 万用表检测二极管;9 二极管的分类;三、 晶体三极管;（2）. 三极管的结构;箭头：表示发射结加正向电压时的电流方向。 文字符号：V ;3、三极管的电流放大作用 （1）三极管的工作电压 三极管实现电流放大的外部偏置条件：发射结正偏，集电结反偏，此时，各电极电位之间的关系是： NPN型 UC＞UB＞UE PNP型 UC＜UB＜UE ;; （2）电流分配关系 图3.3是NPN管放大实验电路。; （3）三极管的电流放大作用 当IB有一微小变化时，能引起IC较大的变化，这种现象称为三极管的电流放大作用。 电流放大作用的实质是通过改变基极电流IB的大小，达到控制IC的目的，而并不是真正把微小电流放大了，因此称三极管为电流控制型器件。 ;三极管的输入特性;5．VBE与IB成非线性关系。;（2）晶体三极管的输出特性曲线;输出特性曲线可分为三个工作区:; 输出特性曲线中，截止区以上平坦段组成的区域称为放大区。此时IC受控于IB；同时IC与UCE基本无关，可近似看成恒流。此区内三极管具有电流放大作用。;5、三极管的主要参数 1.电流放大系数 电流放大系数是反映三极管电流放大能力的基本参数，主要有共发射极电路交流电流放大系数β 和共发射极电路直流电流放大系数hFE。; 图 极间反向电流 ; (2) 穿透电流ICEO 是指基极开路（IB=0）、集电极与发射极之间加 上规定的电压时，从集电极流到发射极的电流。如 图所示。它与ICBO之间的关系为： ICEO = (1+β) ICBO 3.极限参数 (1)集电极最大允许电流ICM ; 管子基极开路时，集电极和发射极之间的最大允许电压。当电压越过此值时，管子将发生电压击穿，若电击穿导致热击穿会损坏管子。;表 常用三极管管脚排列; 判别硅管和锗管的测试电路 ; 将万用表设置在 或 挡，用黑表笔和任一管脚相接（假设它是基极b），红表笔分别和另外两个管脚相接，如果测得两个阻值都很小，则黑表笔所连接的就是基极，而且是NPN型的管子。如图11（a）所示。如果按上述方法测得的结果均为高阻值，则黑表笔所连接的是PNP管的基极。如图11（b）所示。; 首先确定三极管的基极和管型，然后采用估测β值的方法判断c 、e极。方法是先假定一个待定电极为集电极（另一个假定