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本发明提供了一种高纯铟的制备方法，属于提纯领域。一种高纯铟的制备方法，为：将精铟进行蒸馏，得到含有In蒸气的气体；将所述含有In蒸气的气体进行冷凝，得到高纯铟；所述蒸馏的温度为1000～1100℃，真空度为1.0×10‑3～5.0×10‑2Pa；所述冷凝的温度为700～900℃，真空度为1.0×10‑3～5.0×10‑2Pa。本发明通过控制蒸馏的温度和真空度使得In和蒸气压高于In的杂质蒸发得到含有In蒸气的气体，然后再通过调整冷凝的温度和真空度使含有In蒸气的气体中的In冷凝，而杂质继续为气体
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117051266 A
(43)申请公布日 2023.11.14
(21)申请号 202311099056.2
(22)申请日 2023.08.29
(71)申请人 昆明理工大学
地址 6500
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