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本发明公开了一种单支点单片集成三轴电容式加速度计芯片，包括硅敏感结构及其两侧的盖板、基板，硅敏感结构由SOI(SilicononInsulator)片加工而成，通过矩形连接梁弹性悬置于设计在硅敏感结构中心位置的方形锚点上，SOI片的器件层与衬底层通过电气孔实现等电势作为电容器的公共上电极；基板上加工有若干个独立的电容器下电极，分别检测三个轴向加速度；盖板实现了加速度计一定真空度的晶圆封装，盖板上的引线孔实现了加速度计芯片外部的电气连接。本发明采用中心单支点结构，相比传统周边固支结构，一方面可
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117054687 A
(43)申请公布日 2023.11.14
(21)申请号 202311084917.X
(22)申请日 2023.08.28
(71)申请人 中国兵器工业集团第二一四研究所
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