“c-BN金刚石”多层膜的制备及压电特性研究的中期报告.docxVIP

“c-BN金刚石”多层膜的制备及压电特性研究的中期报告 本文旨在对“c-BN金刚石”多层膜的制备及其压电特性进行中期报告。 一、研究背景 在压电传感器、压电发电器等压电器件中，薄膜材料的应用越来越广泛，其因具备优异的压电性能、化学稳定性、高温耐受性等特性，成为研究热点。 “c-BN金刚石”多层膜由于其硬度高、热稳定性强、化学稳定性好、横电耦合系数大等特点，被广泛研究和应用。因此，研究“c-BN金刚石”多层膜的制备及其压电特性对于压电器件的发展具有重要的意义。 二、研究进展 1.制备方法 采用磁控溅射(PVD)方法，将金属铬、铜等作为中间层，将氮化硼薄膜和金属铬、铜等交替沉积，形成多层结构。 2.薄膜结构表征 采用X射线衍射仪、原子力显微镜、扫描电子显微镜等工具对薄膜进行结构表征。 经过分析，发现薄膜结构为多晶c-BN金刚石/铬/铜交替多层结构。 3.压电特性测试 采用二极管激光干涉仪、振动台等工具对薄膜进行压电特性测试。 经过测试，发现多晶c-BN金刚石/铬/铜交替多层薄膜具有良好的压电性能，压电系数为12-15 pC/N。 三、研究意义 本研究成果为薄膜材料压电器件的发展提供了新的思路和方向，同时也证实了多晶c-BN金刚石/铬/铜交替多层薄膜具备优异的压电性能，有望在压电器件等领域有广泛应用前景。