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半导体装置及半导体装置的劣化判定方法.pdfVIP

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  • 2023-11-15 发布于四川
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半导体装置及半导体装置的劣化判定方法.pdf

    本发明提供高精度地进行劣化的判定的半导体装置及半导体装置的劣化判定方法。检测导线将布线板的正面与发射极端子连接。在这样的半导体装置中，从发射极端子检测出的电位从半导体芯片的输出电极输出，将布线导线、布线板以及检测导线通电。因此，从发射极端子检测出的电位主要受布线导线的导线接合部的劣化的影响。另一方面，从发射极端子检测出的电位不受将半导体芯片的输入电极与布线板接合的接合部件的焊料接合部的劣化的影响。另外，检测导线几乎不会受到因导通布线板的电流引起的相对于导通方向而沿顺时针方向产生的磁场的影响。经由

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117059608 A (43)申请公布日 2023.11.14 (21)申请号 202310251640.9 (22)申请日 2023.03.15 (30)优先权数据

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