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低维金属体系的控制生长及等离子体激发研究的中期报告 本项目以低维金属体系（包括二维和一维的金属纳米线、纳米管等）为研究对象，利用物理气相沉积技术，通过对生长参数的控制，成功制备了一系列具有不同性质的低维金属体系样品。通过扫描电子显微镜和透射电子显微镜的观察和分析，证实了所制备样品的结构和形貌符合设计要求。 在等离子体激发研究方面，利用紫外-可见吸收光谱技术和荧光光谱技术，对样品的等离子体激发行为进行了研究。通过对激发光谱和荧光光谱的分析，发现样品表面等离子体的激发和荧光发射强度受到低维结构和金属元素种类的影响。同时，还探究了等离子体激发对样品光电性能的影响，为后续的应用研究提供了理论支持。 在生长控制方面，通过研究不同生长参数对样品形貌和结构的影响，探究了低维金属体系的生长机制。我们发现，生长时间、温度、气压等因素会直接影响样品的形貌和结构。特别是在一维金属纳米线生长方面，我们结合了催化剂种类和生长条件的控制，成功制备出了能够实现光学测量的纳米线样品。 综上，本项目在低维金属体系的控制生长及等离子体激发研究方面取得了一定的进展。未来我们将继续深入研究不同生长条件下的样品性质、光电性能和等离子体激发机理，并探究其在传感器、光电器件等方面的应用潜力。