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- 2023-11-15 发布于四川
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提供晶片封装体及其制造方法。上述方法包括提供具有晶片区及围绕晶片区的切割道区的基底，且形成一介电层于基底的上表面。一虚置结构形成于基底的切割道区上方的介电层内，并沿晶片区的边缘延伸。虚置结构包括第一虚置金属层堆叠及第二虚置金属层堆叠，由内至外同心排列。上述方法还包括对围绕着虚置结构的部分的介电层进行切割制程，以形成穿过介电层的切割开口。在进行切割制程后，至少第一虚置金属层堆叠余留于介电层内。由此，可以防止在切割制程期间由于机械或热应力而在介电层内所形成的碎片、破裂或其他类型的缺陷，从而提高了晶片
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117059571 A
(43)申请公布日 2023.11.14
(21)申请号 202310531880.4 H01L 23/00 (2006.01)
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