半导体结构的形成方法.pdfVIP

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2023-11-15 发布于四川
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半导体结构的形成方法.pdf

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一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底上形成有多个沟道结构和多个横跨沟道结构的伪栅结构，伪栅结构两侧的沟道结构内形成有源漏掺杂区，伪栅结构的侧部形成有覆盖源漏掺杂区的层间介质层；衬底包括多个器件单元区和位于器件单元区之间的隔断区，器件单元区与隔断区沿沟道结构的延伸方向排列；去除位于器件单元区的伪栅结构，在位于器件单元区的层间介质层中形成栅极开口；在栅极开口内填充栅极材料层；去除位于隔断区的伪栅结构和沟道结构，形成隔断开口；在隔断开口内填充隔断结构。本发明实施例形成隔断结构，以实现相邻器件

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117059573 A (43)申请公布日 2023.11.14 (21)申请号 202210497866.2 (22)申请日 2022.05.06 (71)申请人中芯国际集成电路制造（上海）有限