驱动电路及驱动方法.pdfVIP

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2023-11-15 发布于四川
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本申请技术方案提供一种驱动电路及驱动方法，所述驱动电路用于驱动SiCMOSFET，包括：第一电压节点，用于采集所述SiCMOSFET的电压信号；阈值电压模块，用于提供阈值电压信号，所述阈值电压信号随所述SiCMOSFET的温度变化而变化；第一比较模块，连接所述第一电压节点和所述阈值电压模块，用于比较所述SiCMOSFET的电压信号和所述阈值电压信号，以输出比较结果；控制模块，用于接收所述比较结果以及SiCMOSFET的驱动逻辑信号，以对所述SiCMOSFET的驱动电流进行控制。本申请

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117060346 A (43)申请公布日 2023.11.14 (21)申请号 202311018818.1 (22)申请日 2023.08.11 (71)申请人瀚昕微电子（无锡）有限公司地址