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pecvd技术制备半导体有源器件端面减反膜的研究 1 抗混叠膜的制备工艺 减少反射膜技术广泛应用于许多光件中。例如，超级辐射光敏电阻器（sld）、光纤传感器、宽带发射波光控制器、半外腔锁模型模拟器、分布反馈检测器（dfb）及其集成光源。高性能的减反射膜是这些光电子器件正常工作的必要条件。当残余反射率低于1×10-3时,可以有效抑制激光器端面的内部光反馈,降低反射诱导载流子噪声。实验证明,严格控制膜厚和折射率,单层减反射膜可以实现1×10-4的残余反射率,能够满足一般减反射膜的要求。这种单层减反射膜的设计及其容差在许多文献中都有详细的论述。 目前,实现激光器端面镀膜的主要方法是利用电子束蒸发设备,简称EB法。但是EB法沉积的介质膜致密性较差,稳定性不好。同时在高温沉积过程中容易造成Ⅴ族元素的非一致性损失,导致端面吸收和散射的增加。化学气相沉积(CVD)方法克服了致密性和稳定性差的缺点,采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR Plasma-CVD)制作的单层SiOxNy材料和多层Si/SiO2/Si结构减反射膜都获得了1×10-4的低反射率结果。但是ECR Plasma-CVD设备结构复杂,价格昂贵,操作与维护相对复杂。 本文提出一种简单易行,且性能稳定的单层减反射膜制作工艺。为此,我们采取等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备进行端面镀减反射镀膜。实验结果表明,PECVD