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本申请的各种实施例针对具有高全阱容量(FWC)的堆叠互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。第一集成电路(IC)芯片和第二IC芯片彼此堆叠。第一IC芯片包括第一半导体衬底，第二IC芯片包括第二半导体衬底。像素传感器位于第一IC芯片和第二IC芯片处并跨越第一IC芯片和第二IC芯片。像素传感器包括在第一半导体衬底处的转移晶体管和与转移晶体管相邻的钉扎光电二极管，并且还包括在第二半导体衬底上的多个附加晶体管(例如，重置晶体管、源极跟随器晶体管等)。第一半导体衬底的基体和第二半导体衬底的基体彼此电隔
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117080229 A
(43)申请公布日 2023.11.17
(21)申请号 202310523616.6
(22)申请日 2023.05.10
(30)优先权数据
63/342,659 2022
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