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- 2023-11-18 发布于四川
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本公开涉及一种半导体存储器装置和制造半导体存储器装置的方法。本公开涉及一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：半导体基板，其包括存储器单元区和接触区；第一层叠结构，其位于半导体基板上；第二层叠结构，其设置在半导体基板和第一层叠结构之间；多个单元插塞，其在与半导体基板的顶表面交叉的垂直方向上延伸，并且布置在存储器单元区中的第一层叠结构和第二层叠结构中；以及多个支撑件，其在垂直方向上延伸并且布置在接触区中的第一层叠结构中，其中，第二层叠结构布置在与多个支撑件不同的高度中。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117082863 A
(43)申请公布日 2023.11.17
(21)申请号 202310007212.1 H01L 23/52 (2006.01)
(22)申请日 2023.01.
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