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信息科学与技术 马 歌 第三章 多层次的存储器 1 、 设有一个具有20位地址和32位字长的 存储器 ， 问： ● (1)该存储器能存储多少个字节的信息？ □存储容量=存储单元个数×每单元字节数 =220 ×32bit ● (2)如果存储器由512K×8位SRAM芯片组成 ， 需要 多少片？ □ 需要做存储芯片的字位扩展； ➢ 位扩展： 4片512K×8位芯片构成512K×32位的存储组； ➢ 字扩展： 2组512K×32位存储组构成1M×32位的存储组； □ 因此 ， 共需要2 ×4=8片给定的SRAM芯片 ● (3)需要多少位地址作芯片选择？ □字扩展的是2个存储组 ， 因此 ， 需1位地址做片选 2 、 已知某64位机主存采用半导体存储器 ， 其 地址码为26位 ， 若使用4M×8位的DRAM芯片 组成该机所允许的最大主存空间 ， 并选用内存 条结构形式 ， 问： ● (1)若每个内存条为16M×64位 ， 共需几个内存条？ □ 内存条块数=主存容量÷每个内存条容量 =226 ÷ 224 =4块 ● (2)每个内存条内共有多少DRAM芯片？ □ 需要做存储芯片的字位扩展； ➢ 位扩展： 8片4M×8位芯片构成4M×64位的存储组； ➢ 字扩展： 4组4M×64位存储组构成16M×64位的存储组； □ 因此 ， 共需要4 ×8=32片给定的DRAM芯片 2 、 已知某64位机主存采用半导体存储器， 其地址码为26位 ， 若使用4M×8位的 DRAM芯片组成该机所允许的最大主存空 间 ， 并选用内存条结构形式 ， 问： ● (3)主存共需多少DARM芯片？ CPU如何选择各内存 条？ □主存共需4 ×32= 128片DRAM芯片 □每个内存条有32片DRAM芯片 ， 容量为16M ×64位， 需24根地址线（A23~A0） 完成内存条内存储单元寻址 。 一共有4块内存条 ， 采用2根高位地址线（A25~A24） ， 通过2 :4译码器译码产生片选信号对各模块板进行选择。 3 、 用16K×8位的DRAM芯片构成 64K×32位存储器 ， 要求： ● (1)画出该存储器的组成逻辑图。 □ 由16K ×8位的芯片字位扩展构成64K ×32位的存储器； ➢根据题意 ， 存储器总容量为64K ×32位 ， 故地址线总 需16位； ➢位扩展： 4片16K ×8位芯片构成16K ×32位的存储组； ➢字扩展： 4组16K ×32位存储组构成64K ×32位的存储 组； ➢ 因此 ， 共需4 ×4= 16片DRAM芯片。 ➢芯片本身地址线占14位 ， 所以采用位并联与地址串联 相结合的方法来组成整个存储器。 ➢4个存储组的片选信号应由最高两位地址A14和A15产生。 3 、 用16K×8位的DRAM芯片构成 64K×32位存储器 ， 要求： ● (1)画出该存储器的组成逻辑图。 □ 由16K ×8位的芯片字位扩展构成64K ×32位的存储器； ➢该存储器的组成逻辑框图如下： 位扩展 字扩展 3 、 用16K×8位的DRAM芯片构成 64K×32位存储器 ， 要求： ● (2)设存储器读/写周期为0 .5μs ， CPU在1μs内至少要 访问一次 。 试问采用哪种刷新方式比较合理？ 两次 刷新的最大时间间隔是多少？ 对全部存储单元刷新 一遍所需的实际刷新时间是多少？ □假定16K ×8位的DRAM芯片的存储矩阵是128行 × (128 ×8)列； ➢ 若集中刷新 ， 则有128行× 0.5μs =64μs的死时间（读/写操 作停止 ， 数据线输出被封锁） ， 不合适； ➢ 若分散刷新 ， 则每访存一次需要1μs ， 也不合适； ➢ 所以 ， 应采用异步式刷新方式。 □假定 ， DRAM芯片的刷新周期为2ms； ➢ 两行的刷新间隔为： 2ms/128=0.015625ms= 15.625μs； □若取15 .5μs作为实际的刷新间隔； ➢ 刷新存储体一遍实际需要时间： 15.5μs×128= 1984μ s= 1.984ms； 7 、某机器中 ， 已知配有一个地址空间为 0000H~3FFFH的ROM区域 。现在再用一个RAM 芯片（8K×8） 形成40K×16位的RAM区域 ， 起 始地址为6000H 。假设RAM芯 有CS和WE信号 控 端 。CPU的地址总线为A15 A0 ， 数据总线为 D15 D0 ， 控制信号为R/W（读/写） ， MREQ（访 存） ， 要求： ● (1)画出地址译