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本发明涉及一种用于确定至少一个功率半导体开关的老化状态的设备,设备具有至少一个评价单元和用于检测或测定功率半导体开关的温度的装置,特征曲线以功率半导体开关的不同温度参数化,评价单元如此构造,使得在接通状态下在通过功率半导体开关的预设的电流值下检测功率半导体开关上的电压值且由此计算出接触电阻,然后评价单元在考虑到功率半导体开关的由装置检测或测定的温度的情况下借助特征曲线给功率半导体开关关联老化状态,设备具有至少一个另外的装置用于检测或测定功率半导体开关的温度,评价单元构造成对功率半导体开关的借助装
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117074891 A
(43)申请公布日 2023.11.17
(21)申请号 202310543070.0
(22)申请日 2023.05.15
(30)优先权数据
102022204800.8
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