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功率半导体模块装置及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-11-18 发布于四川
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功率半导体模块装置及其制造方法.pdf

    一种功率半导体模块装置包括功率半导体模块(100)，其中功率半导体模块(100)包括：衬底(10)，用于承载至少一个半导体主体(20)；以及导热层(40)，布置在功率半导体模块(100)的下表面上，其中功率半导体模块(100)的下表面是被配置为安装到热沉(30)的表面，并且其中导热层(40)由金属的非共晶材料构成，所述金属的非共晶材料在低于第一阈值温度的温度下是固体，在高于第一阈值温度且低于第二阈值温度的温度下是粘性的，并且在高于第二阈值温度的温度下是流体。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117080176 A (43)申请公布日 2023.11.17 (21)申请号 202310545436.8 H01L 21/50 (2006.01) (22)申请日 2023.05.

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