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一款应用于RFID标签的CMOS E类功率放大器设计的中期报告 摘要： 本文介绍了一款设计用于RFID标签的CMOS E类功率放大器的中期报告。该功率放大器采用基于调制反向极性的E类放大器的电路结构设计，其目的是在提高功率效率和减小芯片面积的同时保持良好的线性度。在前期的仿真与设计基础上，我们通过优化电路参数和选择合适的工艺技术，进行了初步的集成电路设计，并开展了初步的实验验证。初步实验结果表明，我们所设计的功率放大器可以实现较高的功率增益，并且能够较好地满足RFID标签的应用需求。 1. 引言 RFID标签（Radio Frequency Identification Tag）是一种新兴的无线电频率识别技术，广泛应用于物流和仓储管理、商品批次追踪、智能家居等领域。在RFID标签的电路设计中，射频功率放大器是至关重要的组成部分。传统的射频功率放大器的设计中，C类和D类功率放大器被广泛采用。C类功率放大器在高效率和小面积方面表现突出，但是线性度不够良好；D类功率放大器具有较好的线性度，但是其功率效率相对较低。针对这些问题，E类功率放大器的出现，可在一定程度上兼具C类和D类功率放大器的优点。 2. 设计原理 E类功率放大器的电路结构，是基于调制反向极性的E类放大器的电路结构设计的。它的基本原理是，利用调制反向极性实现功率级的开关及反向极性的调制，以达到功率放大、线性调制、压缩及线性延迟