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本申请公开一种三维芯片的静电防护仿真方法及相关设备,涉及芯片技术领域,能够对三维芯片的连接工艺和ESD器件进行关联仿真,使得设计的ESD器件在三维芯片的连接工艺过程中对三维芯片起到有效的静电防护作用。三维芯片的静电防护仿真方法,包括:构建三维芯片的连接工艺流程,以生成三维芯片和连接工艺仿真数据;基于所述三维芯片生成ESD结构,得到第一ESD设计仿真模型;将所述连接工艺仿真数据关联至所述第一ESD设计仿真模型,得到第二ESD设计仿真模型;基于所述第一ESD设计仿真模型和所述第二ESD设计仿真模型,
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117094256 A
(43)申请公布日 2023.11.21
(21)申请号 202210517561.3
(22)申请日 2022.05.12
(71)申请人 西安紫光国芯半导体有限公司
地址
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