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- 2023-11-22 发布于四川
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本发明涉及一种超大功率光阻玻璃芯片生产工艺，包括匀胶、一次光刻、沟槽腐蚀、HCl清洁、SIPOS、二次匀胶、二次光刻、玻璃钝化、LTO、三次匀胶、三次光刻、去氧化层和金属化、锯片裂片制得。采用该方法生产的尺寸为100—135mil的玻璃芯片工作功率大，工作稳定性好，反向漏电小，使用寿命长；采用HCl清洁，酸性气体可以有效去除沟槽腐蚀残留的金属离子，且避免后续SIPOS操作时需要升温，节能降耗，有利于环保。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 111370301 A
(43)申请公布日
2020.07.03
(21)申请号 20201
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