1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

增加JFET区源极接触的源极及栅极互联埋沟锥式槽VDMOSFET结构.pdfVIP

  • 6
  • 0
  • 约1.6万字
  • 约 18页
  • 2023-11-22 发布于四川
  • 举报

增加JFET区源极接触的源极及栅极互联埋沟锥式槽VDMOSFET结构.pdf

    本发明公开增加JFET区源极接触的源极及栅极互联埋沟锥式槽VDMOSFET结构，在JFET区上方顶端具有肖特基结用于形成肖特基接触，六边形元胞1的碳化硅外延层表面还刻蚀形成有一锥式槽，锥式槽开口向上并贯穿N‑SOURCE区下方并深入至Pwell区1内，锥式槽内淀积有金属3形成欧姆接触，在非水平宽度方向的任意相邻两个六边形元胞1之间形成有源极互联结构，源极互联结构用于连接任意Z向线两个六边形元胞1的源极金属3并引出连接外界源极，任意六边形元胞1之间还具有栅极互联结构，从而在六边形元胞的基础上结合埋

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117096197 A (43)申请公布日 2023.11.21 (21)申请号 202311207340.7 (22)申请日 2023.09.19 (71)申请人 杭州谱析光晶半导体科技有限公司 地

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >