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- 2023-11-22 发布于四川
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本发明公开了一种硅基前驱体中金属离子的检测方法，属于半导体材料金属离子检测技术领域。本发明包括如下步骤：S1前处理：硅基前驱体样品置于真空条件下容器中，待硅基前驱体样品挥发完全后，向容器中加入浓硝酸，再加超纯水对反应液进行稀释得到待测溶液；S2标准溶液工作曲线溶液配制：配制10mg/L的元素标准溶液，所述元素标准溶液包含标准溶液1、标准溶液2、标准溶液3；S3采用ICP‑MS对待测溶液进行金属离子检测。本发明能够有效抑制基体效应，方法简单，成本低，安全性高，检出限低，更适用于超高纯度硅基前驱体
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117092197 A
(43)申请公布日 2023.11.21
(21)申请号 202311081138.4
(22)申请日 2023.08.25
(71)申请人 合肥安德科铭半导体科技有限公司
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