原创力文档- 4
- 0
- 约9.22千字
- 约 9页
- 2023-11-22 发布于四川
- 举报
本申请公开了一种改进全泄漏抑制的短时DFT插值方法，在本申请中首先基于最大旁瓣衰减窗函数频谱的旁瓣一致衰减特性，在高精度近似基础上推导得到了其线性比例及递推特性。根据这种特性能够在谐波分量未知前提下，将其泄漏干扰进行有效参数化近似，且仅与被测频率谱线位置的级数线性相关，使其能够适用于后续多谱线插值校正的解析过程。再次利用最大旁瓣衰减窗函数频谱的线性比例特性，采用多谱线方程组解析得到与单频率信号插值校正类似的显示表达式，进而突破了单频解析信号模型这一先决条件对插值算法的限制。最后，分别对实部和虚部
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 111274534 A
(43)申请公布日
2020.06.12
(21)申请号 20201
文档评论（0）