电子技术基础教材（第2版）全套PPT课件.pptx

第1章　用晶体管放大电路组成的实用功放案例及相关的基础知识 内容提要本章介绍分立元件电路必须用到的各种半导体二极管和双极型半导体三极管的特性参数的内涵；介绍由二极管和三极管组成的常用单元电路的名称、组成、特点、功能及工作过程分析；介绍由各种单元电路组成实用性、综合性电路的案例；给出电子产品制作过程中的安装、焊接、调试的相关知识和实用技术，为学生入门实训提供实用性、综合性的内容、方法和技术支撑。 1.1半导体二极管 半导体二极管是由一个PN结封装制成的器件，二极管按所用材料的不同分硅管和锗管；按结构分为点接触型、面接触型和平面型三类。点接触型二极管因结面积小，不能通过较大电流，但结电容小，适宜在高频下工作，常用于高频检波、变频，有时也用作小电流整流，常用的型号有2AP1…2AP7；面接触型因结面积较大，允许通过较大的电流和具有较大的功率容量，适用于作整流器件，而结电容较大，一般适用于在较低的频率下工作，常用的型号有2CP33等；平面型二极管采用光刻、扩散的工艺制成，常用于数字电路。 1.1.1半导体二极管符号、特性、参数1.二极管的符号二极管是由PN结加相应的电极和管壳封装制成的，如图1.1(a)所示，P区的引出线称二极管的正极，N区的引出线称二极管的负极。虽然二极管在材料和制造工艺上各不相同，但在电路图中均可用图1.1(b)的电气符号来表示，图中ID的箭头表示二极管导通时的电流方向。 (a) 结构示意图 (b) 符号 图1.1 二极管的结构和符号 2.二极管的伏安特性二极管的伏安特性是指二极管两端的电压和流过二极管的电流的关系曲线，它是二极管应用的理论根据。二极管的伏安特性可用逐点描法或用专用的晶体管特性图示仪直接测得。图1.2所示为二极管的伏安特性曲线。现对该曲线进行分段说明。 图1.2 二极管的伏安特性 (1) 正向特性。OA段：常称“死区”，表示由于起始部分正向电压较小，正向电流也非常小，几乎为零，OA段的电压称死区电压或门槛电压UT ，其大小随管子的材料和温度的不同而改变，一般取硅管为0.5V，锗管为0.1V。AB段：称为正向导通区，表示外加电压越过死区电压后，随着电压增大，正向电流急速增大，二极管正常导通后管子两端的正向压降很小，且几乎不随电流而改变，一般取硅管为0.7V，锗管为0.3V。 (2) 反向特性。OC段：称为反向截止区，表示反向电压增加时，反向电流IS很小且几乎不变，小功率硅管IS小于1μA，锗管IS为几微安到几十微安，通常都可忽略，但IS受温度影响大，实验证明，温度每升高10 ℃时，Is将增大一倍。CD段：称为反向击穿区，表示反向电压增大到超过某一值时，反向电流急剧增大，这一现象称为反向击穿，反向击穿时所加的电压叫反向击穿电压，记为UBR，反向击穿电流过大会使普通二极管烧坏，称为击穿短路。 3. 二极管的主要参数电子器件的参数是其特性的定量描述，也是实际工作中根据要求选用器件的主要依据。二极管的主要参数有以下几个： (1)最大整流电流IF。指二极管长期安全应用时，允许通过管子的最大正向平均电流。IF的数值是由二极管允许的温升所限定的。使用时，管子的平均电流不得超过此值，否则，二极管PN结将可能因过热而损坏。(2)最大反向工作电压UR。指工作时加在二极管两端的反向电压不得超过此值，为了留有余地，手册上查到的UR通常取反向击穿电压UBR的一半。 (3)反向电流IS。指在室温条件下，二极管两端加上规定的反向电压时，流过管子的反向电流值。IS越小，管子的单向导电性越好。值得注意的是，IS受环境温度的影响大，在使用二极管时，要注意温度的影响。(4)最高工作频率fDM。指二极管在工作时可达到的最高的工作频率，是因为二极管结电容CJ对交流电流有旁路作用。例如，用于检波的二极管，其结电容小，则fDM较高；而用于整流的二极管，结电容较大，fDM较低。 (5)直流电阻RD和交流电阻rD ：①直流电阻RD。指二极管两端所加的电压UD与流过管子的直流电流ID之比值，用式子表示，即 二极管两端所加正向电压UD和流过的直流电流ID，在二极管的伏安特性曲线上找到相应的一点Q，该点称为静态工作点。在图1.3(a)中，RD实际上是原点O与Q点连线的斜率的倒数，从图中可以看出，Q点位置越高，斜率越大，直流电阻越小，二极管的正向直流电阻随着ID 的增大而减小。而由于二极管的反向电流很小，所以反向电阻很大。一般二极管的正向直流电阻约几十欧到几千欧之间，反向直流电阻约为几十千欧到几百千欧。因此，二极管的直流电阻具有非线性的特性，所以在用万用表测二极管正向直流电阻时，不同的欧姆挡测得的正向直流阻值是不同的。 (a) 二极管直流电阻 (b)二极管交流