电子技术;1.1半导体二极管;一.半导体二极管的结构和符号;P型半导体---本征半导体中掺入微量的三价元素,得到以空穴载流子为主的空穴型半导体,空穴载流子是带正电荷;半导体二极管---- 一个PN结引两电极、封装管壳就制成一个二极管;二.PN结的单向导电性(演示实验); 三.半导体二极管的伏安特性曲线;反向特性:;四.半导体二极管的主要参数; 五.特殊二极管的作用;2.发光二极管;1.2半导体三极管;一.半导体三极管的结构和符号;1.基本结构:一块半导体基片上,形成两个PN结、三个导电区,分别引出三个电极。中间的导电区称基区,引出的电极为基极B。两边分别是发射区和集电区,分别引出的电极为发射极E和集电极C。两个PN结分别称发射结和集电结;2.三极管内部结构特点:;二.三极管的电流放大作用;2.演示实验:(测量IB、IC、IE,并研究它们之间的相互关系);2)对一个确定的三极管,IC与IB的比值基本不变;因为IB=0时,IC=ICEO ;基极电流由0增至IB时,集电极电流也相应地由ICEO增至IC; 三.半导体三极管特性曲线(共发射极接法时的);2.输出特性---指当IB一定时,IC与UCE之间的关系;放大区:发射结正偏和集电结反偏IC=βIB;通常使用三极管两种方式:
1.是三极管工作在放大状态,利用IB对IC的控制作用,这是三极管在模拟电子技术中的应用;
2. 三极管工作在开关状态,利用三极管在饱和与截止两个状态之间转换,使三极管相当于一个受控开关,这是三极管在数字电子技术中的应用。;课堂练习:判断图示的各三极管工作在什么状态?并说明各三极管的管型。;练习:下图三极管工作在放大状态,用电压表测出它们各电极的电位如图所示,试分别说出管脚名称、管型、组成的半导体材料。;四. 三极管的主要参数;2. 集电极---发射极穿透电流ICEO;(3)集电极最大耗散功率PCM 使用中特别注意ICM和VCE决不能同时达到或超过规定的ICM和V(BR)CEO,否则它们的乘积将超过PCM很多,使三极管过热而损坏;1.3 半导体元器件产品手册查阅;二.常用半导体二极管、三极管主要参数查阅;2.1共射放大电路组成和工作原理; 一.放大电路的组成及各元件的作用;;注意:放大电路中!;二. 放大电路中的直流通路和交流通路;直???通路:放大电路中直流电通过的路径。;2. 放大电路的交流通路;输入信号vi叠加在直流的VBE上,即vBE=VBE+vi;上式表明,只要RC取值适当,就可使vO比vi大许多倍,从而实现电压放大。;画法:对频率较高的交流信号,电容相当于短路;直流电源的内阻一般都很小,所以对交流信号来说,直流电源认为是短路的。;3.放大电路的非线性失真;;2)饱和失真:因静态工作点太高,接近饱和区。即IB、IC太大,放大后的iC已经超出了三极管饱和时集电极电流ICS≈VCC/RC,因此iC未变化到正半周的顶部即被削去,与此相应vRC的正半周也被削去,反相后vCE和vO的负半周被削去。;;三. 静态工作点的估算; 对IB回路应用KVL得:IBQRB+VBE=VCC ;四.动态交流指标的计算;;先画出放大器的交流通路,用三极管微变等效电路去替换交流通路中的三极管,即画出放大器的微变等效电路;[例2.2] 放大电路中VBE=0.7V,其余参数如图;试利用微变等效电路法计算(1)不接负载时的电压放大倍数;(2)接负载时的电压放大倍数。;由本例题可知:由于(RC//RL)<RC,得接上负载电压放大倍数比不接负载电压放大倍数的减小,即放大器接上负载后,电压放大倍数会减小,输出电压会下降。;3.放大器的输入电阻Ri;4.放大器的输出电阻RO;[例2.3和2.4]计算图示放大器的输入电阻Ri和输出电阻RO;2.2静态工作点稳定电路;一.温度变化对基本共射电路输出波形的影响;二.分压式偏置稳定电路;温度↑→ICQ↑→VE↑→VBEQ↓→IBQ↓→ICQ↓(基本不变);[例2.5]分压式偏置稳定电路如图所示,电路参数为:RB1=20kΩ、RB2=10kΩ、RC=2kΩ、RE=2kΩ、RL=4kΩ;C1=C2=10μF、CE=100μF;β=50、VBE=0.7V;VCC=12V。试求电路的静态工作点IB、IC、VCE的值。;VCEQ=VCC-ICRC-IERE≈VCC-IC(RC+RE)
=12-1.65×(2+2)=12-6.6=5.4V;2.3 共集电路----射极输出器;一.电路组成;
;2.电压放大倍数略小于1(近似为1);课堂练习:前图所示的射极输出器参数为:RB=200kΩ、RE=3kΩ、RL=3kΩ;rbe=1kΩ、β=80、VBE=0.7V;VCC=18V。求电路的(1)静态工作点;(2)画出微变等效电路;(3)输入电阻和输出电阻;重点:场效应管特
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