窄垂直发散角高功率光子晶体半导体激光器的研制的中期报告.docxVIP

窄垂直发散角高功率光子晶体半导体激光器的研制的中期报告 摘要： 本文对窄垂直发散角高功率光子晶体半导体激光器的中期研制情况进行了详细的介绍。首先介绍了该激光器的基本原理，然后分别从结构设计、材料生长与制备、器件制备与性能测试等几个方面介绍了研制过程及进展情况。最后，总结了已取得的一些进展和存在的问题，并预测了未来的发展方向。 关键词： 光子晶体半导体激光器；窄垂直发散角；高功率；材料生长；器件制备 一、引言 光子晶体半导体激光器自问世以来，因其具有高效、高亮度等优良性能，在信息、通讯等领域屡有突破，并逐渐得到了广泛的应用和研究。但是在一些领域，例如光存储、高亮度照明等，对光源的方向性及聚焦度有更高要求，而现有的光子晶体半导体激光器在这方面仍存存在一些问题。本文旨在研制出具有窄垂直发散角高功率的光子晶体半导体激光器，以满足上述需求。 二、原理 光子晶体半导体激光器是一种利用光子晶体结构调制光学波导的半导体激光器。其发射模式受到光子晶体的布拉格反射和共振态的影响，具有出色的方向性。从而实现垂直发光，且具有较小的发散角，对于高功率光源来说，这也保证了较高的功率密度。因此，窄垂直发散角高功率的光子晶体半导体激光器在实际应用中具有广泛的应用前景。 三、结构设计 在激光器的设计方面，我们采用了双周期光子晶体结构。其中，第一周期中心层为活性层，同时起到了波导的作用，两端为光子晶体。第二周期的晶格