电子线路（第5版）全套PPT课件.pptx

《电子线路（第5版）》电子教案;目标1 半导体器件;任务1 的背景知识 PN结与二极管;一、实验用品;背景知识：PN结与二极管;一、PN结;图11-5 硅原子的晶格结构示意图; 晶格整齐排列的叫单晶体，晶格杂乱的叫做多晶体。纯净的单晶半导体又叫本征半导体，是制作半导体器件的基础材料。 共价键的价电子吸收足够能量就会挣脱束缚成为自由电子，共价键中则出现一个空位，称为空穴。一个价电子离位，就出现一个自由电子（带负电）和一个空穴（带正电）。;图11-6 本征半导体中的电子、空穴对; 固态物质导电都是靠电子移动，但半导体导电有电子导电和空穴导电两种状况，电子和空穴都叫载流子。没有空穴参与的叫电子导电；若有空穴参与，电子填补空穴，又产生新的空穴，形成空穴的相对移位，这种现象称为空穴导电。在外电场作用下形成电流时，电子向高电位移动，空穴向低电位移动。 半导体的导电能力具有可变性和可控性。 本征半导体在受热或光照的激发下，一些价电子吸收能量而挣脱束缚成为自由电子，同时生成等量的空穴，使导电性能增强。 半导体的导电性能会随温度的升高而增强，称为热敏特性。热敏特性是各类半导体材料的共性，虽有强弱差别，却是半导体材料的共同弱点。; 半导体的导电性能还会随光照的增强而增强，称为光敏特性。利用光敏特性显著的半导体可制造光敏元件，做为检测光照变化的传感器。 利用热扩散技术在本征半导体中搀入微量的其他元素后，可使半导体的导电特性发生本质变化。这就是半导体的搀杂特性。 ;2、两种掺杂半导体 半导体因受热、受光照而增多的自由电子和空穴数量总是相等的，搀杂不同化合价元素形成的自由电子和空穴的数量却是不同的。 （1）N型半导体 在本征半导体（四价元素）中搀入微量五价元素，两种元素形成共价键时，五价元素的1个电子无处安置，成为自由电子，如图11-7所示。;图11-7 N型半导体结构;（2）P型半导体材料 在本征半导体（四价元素）中搀入微量三价元素，两种元素形成共价键时，三价元素少1个电子??四价元素结对，成为一个空穴。如图11-8所示。;3、 PN结 （1）PN结的结构 以自由电子为多数载流子的N型半导体和空穴为多数载流子的P型半导体本身都不显电性。当在本征半导体中搀杂制作出两块紧密相连的P型半导体和N型半导体时，N型半导体中的高浓度自由电子会穿越界面向P型半导体中扩散，填补P区中的空穴（也可理解为空穴与电子相向扩散而复合），使界面两侧的杂质元素形成完整而稳定的共价键。N型区中的五价元素失去电子而带正电，P型区中三价元素的空穴被电子填充而带负电，在交界面形成一个正负电荷分侧对峙而无载流子的特殊薄层，因载流子耗尽叫做耗尽层，耗尽层就是PN结。PN结的结构示意图，如图11-9所示。;图11-9 PN结的结构;（2）PN结的基本特性 PN结的基本特性是单向导电，即在外加电压的作用下只能单向导电。PN结的单向导电特性如图11-10所示。;1）加正向电压PN结导电 如图11-10a所示，给PN结的P端接高电位、N端接低电位时，由于外电场与结内电场反向，合电场强度降低，减小了对多数载流子扩散的阻力。外电场打破了原来的平衡，既降低了结电场强度，又为多子的扩散增加了外力，使空穴与电子的扩散能够持续进行，在回路中形成由P区通过PN结流向N区的电流，这种导电现象称为PN结正向导电。接高电位的P区一端称为PN结的正极，接低电位的N区一端称为PN结的负极。 PN结正向导电时，会呈现出相应的电阻特性，在其两端显现正向电压降。当正向电流较大时，会生热烧毁PN结。图11-10a中的灯泡既有分压限流保护PN结的作用，又可指示电路导通。;图11-10 PN结的单向导电特性（b）; 2）加反向电压PN结不导电 如图11-10b所示，给PN结的P端接低电位、N端接高电位时，由于外电场的方向与PN结电场的方向相同，驱使多数载流子逆扩散方向而行。带正电的空穴向P区外端移动，带负电的电子向N区外端移动，使PN结的电荷层变厚、结电场增强。多数载流子逆扩散方向移动称为漂移。由于耗尽层内没有载流子，漂移电流非常微弱，认作不导电。 PN结反向加电时，小幅度提高电压并不能使漂移电流增大。只有当外电场过强时，耗尽层内的共价键被外电场力破坏，形成较大的反向电流，称为PN结被击穿。;二、二极管 半导体二极管（简称为二极管）是一种结构最简单的半导体器件。在PN结的P、N两区各接出一段引线并加以封装，就制成一只二极管。