蒸发法制备CuInSe2薄膜的工艺研究的中期报告.docxVIP

蒸发法制备CuInSe2薄膜的工艺研究的中期报告 制备CuInSe2 (CIS)薄膜是太阳能电池领域的重要研究方向之一。本研究采用蒸发法制备CIS薄膜，并对其制备过程进行了初步探究。 实验采用了真空蒸发技术，在高真空（10-6 Torr）下，将Cu、In和Se三种物质分别放置在不同的石英舟中，通过控制其加热温度，实现了三种物质的蒸发。当In和Cu元素的蒸发速率相同时，向样品转动盘上均匀的传递Se元素，实现了CIS的合成。在蒸发过程中，使用了石墨坩埚作为基底，以提供CIS薄膜的形成平台。 在实验过程中，分别控制了Cu、In的蒸发温度、时间和Se的蒸发量，通过X射线衍射和扫描电子显微镜分析了CIS薄膜的结构和形貌。实验结果表明，Cu、In蒸发时的温度分别为750℃和770℃，蒸发时间为10分钟，Se蒸发时间为50分钟，合成得到的CIS薄膜形貌呈现出细小的颗粒分布，且晶体结构为石墨型。 通过对CIS薄膜样品的光电性能测试，得到了其在波长为400~1100nm下的吸收光谱图，并计算出其光电转化效率约为9.4%。 总之，本研究对CIS薄膜的制备工艺进行了初步探究，得到了一定的实验结果。但是，为了进一步提高CIS薄膜的制备效率和光电转换效率，仍需对物质的蒸发温度和时间进行优化，以及对基底和材料的制备工艺进行更深入的探究。