半导体器件的形成方法.pdfVIP

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2023-11-25 发布于四川
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半导体器件的形成方法.pdf

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本发明提供了一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体基底，半导体基底包括具有相对的正面和背面的衬底、依次位于衬底正面的栅氧化层、栅极结构和金属层，位于衬底内的有源区硅结构，金属层通过连接结构连接在有源区硅结构和栅极结构上，以及依次位于衬底背面的栅多晶硅层、氧化硅层和氮化硅层；在所述衬底的正面形成IMD介质层，以覆盖所述金属层；通过化学机械研磨的方式依次去除衬底背面的氮化硅层和氧化硅层，之后再磨平衬底正面的IMD介质层。本发明在去除氮化硅层后得到了平整表面的栅多晶硅层，从而在吸取栅多晶硅层进行键

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117119873 A (43)申请公布日 2023.11.24 (21)申请号 202311108802.X (22)申请日 2023.08.30 (71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司地